энергия электрона
2 Апрель 2012Комментариев нет
Когда энергия электрона велика по сравнению с энергией соударяющегося с ним фонона, в резуль¬тате соударения происходит отклонение электрона с его пути вдоль силовых линий поля, при этом энер¬гия электрона не рассеивается, а почти полностью передается фонону. Носители продолжают забирать от электрического поля энергию и накапливать ее до тех пор, пока в действие не …
температура кристаллической решетки
2 Апрель 2012Комментариев нет
В ряде случаев, когда энергия, сообщаемая электронам внешним электрическим полем, достаточна для создания в полупроводнике неравновесных условий, то есть электроны получают дополнительную энергию, вызывающую повышение их температуры по сравнению с температурой кристаллической решетки, наблюдаются явления, которые необходимо учитывать при практических разработках. Такие явления часто называются эффектами сильного поля, хотя, как мы увидим, при …
диффузионная длина
2 Апрель 2012Комментариев нет
С временем рекомбинации связана диффузионная длина L = (Dt)где D — коэффициент диффузии неосновных носителей, характеристика, имеющая особенно важное значение при определении, например, ширины базы транзистора. Коэффициент диффузии сам по себе зависит от температуры и подвижности носителей довольно сложным образом и, как правило, меняется в зависимости от степени неравновесного состояния.
Таким образом, оценить влияние …
рекомбинация
1 Апрель 2012Комментариев нет
Если число носителей заряда увеличивается по сравнению с равновесным значением либо в результате инжекции (как это происходит в транзисторах), либо при облучении (как в фотоэлементах), то при удалении источника носителей их последующая рекомбинация осуществляется по экспоненциальному закону в зависимости от времени:
п = п0е х 9
где п — число неосновных носителей, имеющихся в материале …
НЕРАВНОВЕСНЫЕ УСЛОВИЯ
1 Апрель 2012Комментариев нет
А в вашей жизни кофе занимает главную позицию? А вы почитайте интересное о кофе и будете просто в шоке, чего вы себя лишаете, когда пьете данный напиток.
До сих пор речь шла о влиянии низкой температуры на свойства полупроводников, находящихся в нормальном состоянии теплового равновесия. Другими словами, при данной температуре полупроводник рассматривался …
Не знаете где остановиться на ночь? Лучший Отель Киев к вашим услугам. Там есть все что нужно и даже больше. В общем смотрите сами. Цены просто сказка, а условия великолепные.
Влияние температуры на проводимость полупроводника обусловлено также изменением с температурой ширины запрещенной зоны. Диаграмма энергетических уровней твердого тела существенно зависит от взаимодействия атомов в периодической …
Примесные включения
29 Март 2012Комментариев нет
Если понадобился щебень гравийный то не сидите сложа руки, а смотрите компанию по ссылке. Именно компания «Века» Передовой лидер в этой отрасли и работает с 1992 года. Так что обман исключен а качество подтверждено.
Примесные включения нарушают регулярную периодическую структуру кристаллической решетки и тем самым увеличивают сопротивление металлов. Это относится и к …
Проводимость твердого тела
29 Март 2012Комментариев нет
Проводимость твердого тела — проводника или полупроводника — определяется формулой а = пе\х, где п — число носителей заряда в единице объема, е — заряд носителя и \х — его подвижность.
В большинстве полупроводников зависимость проводимости от температуры связана в первую очередь с изменением п. Как мы уже говорили в гл. 1, в проводниках …
В германии Еа и Еа составляют около 0,01 эВ, в кремнии — приблизительно 0,04 эВ, что существенно превышает величину kT при обычных криогенных температурах, поэтому многие из атомов примеси остаются неионизированными. В таком случае число подвижных носителей заряда в материале меньше, чем при комнатной температуре, — происходит как бы «вымораживание» несобственных носителей. Явление …
Собственный ток
27 Март 2012Комментариев нет
Собственный ток в полупроводнике уменьшается экспоненциально с температурой, причем показатель экспоненты равен —EglkT. Величина Eg для герма¬ния составляет приблизительно 0,7 эВ, для кремния — около 1,1 эВ. Электрон-вольт (эВ)—это количество энергии, приобретаемое электроном, если он уско¬ряется разностью потенциалов в один вольт.
Грубое представление о величине kT при любой температуре мы можем получить, если вспомним, …
